特許

J-GLOBAL ID：200903094280211060

結晶成長用基板

発明者： 宮嶋 孝夫 ,  ヤン ル ベレゴ ,  伊東 孝之
出願人/特許権者： ソニー株式会社 ,  株式会社バイコウスキージャパン
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-078061
公開番号（公開出願番号）：特開平10-072299
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】 GaN系半導体を直接良好にエピタキシャル成長できる結晶成長用基板を提供する。【解決手段】 基板上に直接形成される第1層がGaN系材料であって、その基板が、イットリウム・アルミニウム・ペロブスカイトよりなる。

請求項（抜粋）：

基板上に直接形成される第1層がAl,B,Ga,Inのうちの1元素以上とNとを含む化合物半導体材料であって、基板が、イットリウム・アルミニウム・ペロブスカイトよりなることを特徴とする結晶成長用基板。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  C30B 23/08

FI (3件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  C30B 23/08 M