特許

J-GLOBAL ID：200903094284069358

単結晶シリコン膜の形成方法

発明者： 楠川 喜久雄 ,  大倉 理
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-166701
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013327
出願日： 1991年07月08日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】絶縁膜上の単結晶シリコン膜形成方法の提供。【構成】単結晶シリコン基板1上に酸化膜2を形成した後に、非晶質シリコン膜3を形成する(図1(a))。次に、種結晶基板4表面に酸化膜5を形成し、更に高濃度ボロン層6を形成する。この種結晶基板4をホトエッチングを用いてストライプ状のシリコン柱を表面に形成する(図1(b))。その後、非晶質シリコン膜3表面と種結晶基板4を圧着し、熱処理(N2 ,600°C,12時間)を行ない、非晶質シリコン膜3を単結晶シリコン膜7とする(図1(c))。次に、高濃度ボロン層6を選択的にエッチングすることによって単結晶シリコン膜7から種結晶基板4を切り離し、酸化膜2上に単結晶シリコン膜7が形成される(図1(d))。【効果】非晶質シリコン膜の固相成長による単結晶シリコン膜の形成が試料表面の全域で可能となる。形成された単結晶シリコン膜は、単体MOSトランジスタのみに限らず、CMOS,DRAM,SRAMの高集積メモリー,高速演算回路等を合わせ持った半導体装置への適用も可能である。

請求項（抜粋）：

絶縁膜上に単結晶シリコン膜を形成するにおいて、(1)絶縁膜表面を有する基板に非晶質シリコン膜を形成する工程、(2)上記基板と異なる単結晶シリコンの基板に凹凸を形成する工程、(3)上記非晶質シリコン膜を形成した基板と凹凸を形成した単結晶シリコン基板を密着する工程、(4)上記密着した二枚の基板を熱処理することにより非晶質シリコン膜を単結晶シリコン基板との密着部から単結晶化せしめる工程、(5)上記非晶質シリコン膜を形成した基板から凹凸を形成した単結晶シリコン基板を除去する工程とを具備することを特徴とする単結晶シリコン膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/225