特許
J-GLOBAL ID：200903094284077687
絶縁膜の形成方法および絶縁膜パターンの形成方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-331997
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172009
出願日： 1995年12月20日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：
【要約】【課題】 表面の平坦性に優れ、体積収縮に伴うクラック発生を防止した膜質が良好な絶縁膜の形成方法を提供するものである。【解決手段】 所定の単量体を繰り返し単位として主鎖に有するポリシランを含む溶液を基板上に塗布した後、酸素含有雰囲気中で加熱処理することにより酸素架橋3次元化することを特徴としている。
請求項（抜粋）：
下記化1に示す一般式(I)の単量体を繰り返し単位として主鎖に有するポリシランを含む溶液を基板上に塗布した後、酸素含有雰囲気中で加熱処理することにより酸素架橋3次元化することを特徴とする絶縁膜の形成方法。【化1】ただし、式中のR1 は置換もしくは非置換の芳香族基を示す。
FI (2件)：
H01L 21/316 P
, H01L 21/316 C
