特許
J-GLOBAL ID：200903094294852948
半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-038927
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242559
出願日： 1997年02月24日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 本発明の目的は、高出力、高信頼性半導体レーザを提供することにある。【解決手段】 少なくとも一層のIn<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>As(0.2<x<0.5)圧縮歪量子井戸層からなる活性層を含み、前記活性層の圧縮歪と等量の引っ張り歪を持つ歪補償層を設ける。
請求項（抜粋）：
In<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>As(0.2<x<0.5)圧縮歪単一量子井戸層からなる中央の活性層と、この活性層を挾むように上下両側に形成されたガイド層と、このガイド層の上記活性層と反対側に形成されたクラッド層と、を有する半導体レーザ。
引用特許：
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