特許
J-GLOBAL ID：200903094295600420
SOI基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-050175
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251412
出願日： 1992年03月09日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】 SOI基板の製造方法に関し,薄いシリコン薄膜を精密な厚さに研磨してSOI基板を製造することを目的とする。【構成】 絶縁層2上に設けられたシリコン層3aをシリコン層3aに近接して絶縁層2上に設けられたストッパ5を用いて研磨し,ストッパ5で定まる厚さのシリコン薄膜3となすSOI基板の製造方法において,ストッバ5とシリコン層3aとの間に絶縁膜2中に達する深さの溝4を設けることを特徴として構成し,及び,ストッパ5は,ストッパ5の上面がシリコン薄膜3の表面より低くなるように形成され,溝4の深さにより,シリコン薄膜3の厚さを制御して研磨することを特徴として構成する。
請求項（抜粋）：
絶縁層(2)上に設けられたシリコン層(3a)を該シリコン層(3a)に近接して該絶縁層(2)上に設けられたストッパ(5)を用いて研磨し,該ストッパ(5)で定まる厚さのシリコン薄膜(3)となすSOI(Silicon on Insulator) 基板の製造方法において,前記研磨工程に先立って,該ストッバ(5)と該シリコン層(3a)との間に該絶縁膜(2)中に達する深さの溝(4)を設けることを特徴とするSOI基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/302
, H01L 27/12
