特許
J-GLOBAL ID：200903094298583089
ヘテロ接合型半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-165943
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013872
出願日： 1991年07月05日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】 Al含有によるクラッド層における熱伝導及び電気伝導の低下を改善する。【構成】 Al含有クラッド層をAl含有の大なる第1及び第2の層1及び2とその中間部に設けた厚さが大でAl含有の小さい第3のクラッド層3とより構成する。
請求項（抜粋）：
Alを含む混晶によるクラッド層を有する接合型半導体レーザにおいて、その少なくともp型クラッド層が、Al含有量が大なる第1及び第2のクラッド層と、これら間に介在し、上記第1及び第2のクラッド層に比しAl含有量が小で厚さが大の第3のクラッド層とよりなることを特徴とするヘテロ接合型半導体レーザ。
引用特許：
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