MOSトランジスタ作製方法およびその構造

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-356299
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120249
出願日： 1991年12月24日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】簡単で、少ない工程数によりLDD構造を持つMOSトランジスタを作製する方法およびその構造を提供する。【構成】従来のLDD構造を有するTFTの作製方法で必要であったゲイト電極側面のスペーサの代わりに通常のゲイト絶縁膜をゲイト電極よりチャネル幅方向に幅広く形成し、さらにこのゲイト絶縁膜より薄い絶縁膜をその横に形成して、ゲイト絶縁膜のゲイト電極以外の部分の厚みとその横の薄い絶縁膜との厚みの差を利用して、ゲイト電極の端部とソースまたはドレインとの間の半導体膜部分に低濃度の不純物領域を形成するものであります。

請求項（抜粋）：

MOSトランジスタを製造する工程において、トランジスタのチャネル部を構成する半導体膜形成工程と、前記半導体膜上にゲイト絶縁膜を形成する工程と、前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極材料を形成する工程の後にゲイト電極をパターニングし、該パターニングの際に同時に前記ゲイト絶縁膜の一部をエッチング除去しゲイト絶縁膜より薄い絶縁膜を形成し、前記ゲイト電極のチャネル幅方向を狭めるようにさらにエッチング除去する工程の後に前記ゲイト電極をマスクとして、不純物を導入する工程を有することを特徴とするMOSトランジスタの作製方法。

IPC (2件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭63-204769
特開平2-098143
特開昭60-055665

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