特許

J-GLOBAL ID：200903094308194370

シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法

発明者： 吉見 雅士 ,  山本 憲治
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-050590
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252501
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】 基板上に表面凹凸構造の制御された透明電極を形成することができ、製造されるシリコン系薄膜光電変換装置の効率を改善できる方法を提供する。【解決手段】 基板(1)上に、透明電極(2)と、一導電型層(111)、実質的に真性半導体の多結晶シリコン系光電変換層(112)および逆導電型層(113)を含む多結晶シリコン系薄膜光電変換ユニット(11)と、光反射性金属電極(122)を含む裏面電極(12)とを順次形成したシリコン系薄膜光電変換装置を製造するにあたり、下地温度が200°C以下の条件でMOCVD法により、平均膜厚が0.3〜3μm、表面凹凸の平均高低差が50〜500nmであるZnOからなる透明電極(2)を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に、透明電極と、一導電型層、実質的に真性半導体の多結晶シリコン系光電変換層および逆導電型層を含む多結晶シリコン系薄膜光電変換ユニットと、光反射性金属電極を含む裏面電極とを順次形成したシリコン系薄膜光電変換装置を製造するにあたり、前記透明電極を、下地温度が200°C以下の条件でMOCVD法により形成することを特徴とするシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。

FI (2件)：

H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 M

Fターム (14件)：

5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA14 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CB12 ,  5F051DA15 ,  5F051FA02 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051FA17 ,  5F051FA19

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 光起電力装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-207908   出願人：三洋電機株式会社