特許

J-GLOBAL ID：200903094313702456

磁気ディスク媒体およびその製造方法

発明者： 管野 敏之
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-307652
公開番号（公開出願番号）：特開2001-126240
出願日： 1999年10月28日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】 成形基板からなる磁気ディスクに関して、基板が後工程の乾式プロセスに耐える耐熱性、磁性層との密着性、及び吸湿あるいは熱による応力の経時変化などによるクラックの発生に対する耐久性に優れた磁気ディスク媒体およびその製造方法を提供する。【解決手段】 磁気ディスク媒体は、熱可塑性樹脂からなる基板と、磁性層とを備え、該基板と該磁性層との間に有機・無機ハイブリッド薄膜層を設けており、前述の有機・無機ハイブリッド薄膜層は水酸基、カルボキシル基またはアミノ基を含有し、末端に(メタ)アクリロイル基を有したモノマー、オリゴマーおよびポリマー成分を主成分とした高分子誘導体化合物を含む高分子組成物と、金属アルコキシド、フェノキシド、アシレート、またはキレート化合物である金属含有誘導体化合物とを含有する有機・無機ハイブリッド組成物から形成されている。

請求項（抜粋）：

熱可塑性樹脂からなる基板と、磁性層とを備えた磁気ディスク媒体であって、該磁気ディスク媒体は前記基板と前記磁性層との間に有機・無機ハイブリッド薄膜層を有し、前記有機・無機ハイブリッド薄膜層は、高分子誘導体化合物を含有する高分子組成物と金属含有誘導体化合物とを含む、有機・無機ハイブリッド組成物から形成され、前記高分子誘導体化合物は、水酸基、カルボキシル基およびアミノ基から選択される官能基を含有し、末端に(メタ)アクリロイル基を有するモノマー、オリゴマーまたはポリマー成分を主成分としており、前記金属含有誘導体化合物は、Al、Ti、Zr、Si、In、Zn、Ni、およびCuよりなる群から選択される金属を中心金属とするアルコキシド、フェノキシド、アシレート、またはキレート化合物であることを特徴とする磁気ディスク媒体。

IPC (7件)：

G11B 5/738 ,  C08F 2/44 ,  C08F 2/46 ,  C08K 5/04 ,  C08L 33/06 ,  C08L101/00 ,  G11B 5/84

FI (7件)：

G11B 5/738 ,  C08F 2/44 B ,  C08F 2/46 ,  C08K 5/04 ,  C08L 33/06 ,  C08L101/00 ,  G11B 5/84 Z

Fターム (52件)：

4J002BE021 ,  4J002BG011 ,  4J002BG071 ,  4J002BH021 ,  4J002CD181 ,  4J002CD191 ,  4J002CK051 ,  4J002EC076 ,  4J002EE046 ,  4J002EG046 ,  4J002EJ076 ,  4J002FD146 ,  4J002GS01 ,  4J011AA05 ,  4J011AC04 ,  4J011PA25 ,  4J011PA29 ,  4J011PA33 ,  4J011PA49 ,  4J011PB30 ,  4J011PC02 ,  4J011PC08 ,  4J011QA06 ,  4J011QA07 ,  4J011QA08 ,  4J011QA14 ,  4J011QA15 ,  4J011QA22 ,  4J011QA23 ,  4J011QA24 ,  4J011QB19 ,  4J011QB20 ,  4J011QB24 ,  4J011SA00 ,  4J011UA01 ,  4J011UA03 ,  4J011UA08 ,  4J011VA01 ,  4J011WA02 ,  4J011WA10 ,  5D006CA01 ,  5D006CA05 ,  5D006CA06 ,  5D006CB01 ,  5D006DA03 ,  5D112AA02 ,  5D112AA03 ,  5D112AA05 ,  5D112AA11 ,  5D112AA24 ,  5D112BA01 ,  5D112BA09