特許

J-GLOBAL ID：200903094313758230

半導体素子の製造方法

発明者： サン・ドン・イ
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-338602
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189970
出願日： 1997年12月09日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 短チャンネル効果を改善し、降伏電圧も増加させ、電流駆動力も向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 ゲート電極を形成させた後、ゲート電極の両側から非活性状態のイオンを傾斜注入させ、基板の一定の範囲を非晶質化し、その非晶質とされた基板の領域にハロー領域を形成させ、その後LDD構造とするための不純物を注入する。

請求項（抜粋）：

第1導電型基板に非活性状態のイオンを注入して基板に非晶質化された領域を形成する工程と、前記非晶質化された領域の周辺にハロー領域を形成する工程と、前記非晶質化された領域に第2導電型不純物領域を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/265

FI (4件)：

H01L 29/78 301 F ,  H01L 21/265 F ,  H01L 21/265 604 V ,  H01L 29/78 301 S