特許
J-GLOBAL ID：200903094314906322
エッチングの後処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中本 菊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-354410
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188229
出願日： 1992年12月16日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：
【要約】【目的】 被処理体に付着する不純物を除去して、エッチングの再現性を良好にすると共に、処理時間の短縮化、スループットの向上及び設備の小型化を図る。【構成】 エッチング処理された半導体ウエハWが搬入された処理容器40内を高温雰囲気にし、O2 を含む第1の処理ガスガスを供給すると共に、プラズマにより半導体ウエハWの表面に形成されたポリマー34とフォトレジスト層32を除去する。その後、同一雰囲気の下でCF4 とO2 を混合した第2の処理ガスを使用して半導体ウエハWのエッチング孔33に付着したダメージ層35を除去する。これにより、エッチングの再現性を良好にすると共に、処理時間の短縮化、スループットの向上及び設備の小型化を図ることができる。
請求項（抜粋）：
エッチング処理された被処理体を高温に加熱して酸素(O2)を含む第1の処理ガスのプラズマ雰囲気下で、レジスト膜と上記被処理体の表面に付着するポリマーを除去する第1工程と、ハロゲンガスと酸素(O2 )を含む第2の処理ガスのプラズマ雰囲気の下で、エッチング処理の際にエッチングにより生成された不純物層を除去する第2工程とからなることを特徴とするエッチングの後処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, C23F 1/00 104
