特許

J-GLOBAL ID：200903094317276214

半導体レーザ

発明者： 杉浦 勝己
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-318502
公開番号（公開出願番号）：特開平6-164060
出願日： 1992年11月27日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 InGaAs歪量子井戸活性層を有するダブルヘテロ構造半導体レーザに関し、非発光欠陥密度を低減できるクラッド層を備えた半導体レーザを提供することを目的とする。【構成】 少なくともInGaAs歪量子井戸活性層と、GaAs基板にほぼ格子整合したAlGaAsまたはInGaPを主成分とするクラッド層とを含むダブルヘテロ型半導体レーザにおいて、非発光欠陥の密度を低減させ得る濃度範囲で、前記クラッド層構成主成分元素より原子半径の大きな周期律表第IIIa族または第Va族の欠陥抑制元素を前記クラッド層に添加したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくともInGaAs歪量子井戸活性層(4)と、GaAs基板(1)にほぼ格子整合したAlGaAsまたはInGaPを主成分とするクラッド層と(3、5)を含むダブルヘテロ型半導体レーザにおいて、非発光欠陥の密度を低減させ得る濃度範囲で、前記クラッド層構成主成分元素より原子半径の大きな周期律表第IIIa族または第Va族の欠陥抑制元素を前記クラッド層に添加したことを特徴とする半導体レーザ。