特許
J-GLOBAL ID：200903094330406232
荷電粒子線描画装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大森 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-174903
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343309
出願日： 1992年06月09日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 ステンシルマスク上で選択されるパターンの位置又はパターン占有率に拘らず良好な描画特性で描画を行う。【構成】 第1成形開口板4の像を第1成形レンズ6を介して第2成形開口板8の所望の開口パターン上に結像し、この開口パターンの像を偏向器9a,9b及び第2成形レンズ10を介してステンシルマスク11上の共役位置に結像し、この像を縮小レンズ13等を介してターゲット17上に結像する。第1成形レンズ6の近傍に配置した静電レンズ7に、ステンシルマスク11上で選択されるパターンの位置及びパターン占有率に応じて最適な電圧を与える。
請求項（抜粋）：
荷電粒子線を発生する荷電粒子線源と、可変成形用の開口パターン及び縮小転写用のパターンが形成されたマスクと、前記発生された荷電粒子線を集束する集束手段と、前記発生された荷電粒子線を前記マスク中の何れかのパターン上に導く偏向手段とを有し、縮小転写による描画と可変成形ビームによる描画とを切り換えて描画する荷電粒子線描画装置において、前記マスク中の光軸から離れたパターンが選択されたときに、前記荷電粒子線源の像の光軸方向の結像位置を調整するための補正手段を設けた事を特徴とする荷電粒子線描画装置。
引用特許：
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