スタティックRAM

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平戸哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-006025
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211079
出願日： 1994年01月24日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】低電源電圧の下におけるデータ保持動作の安定性と、スタンバイ時の消費電力の低減化とを図る。【構成】アクセス時には、ドライバ・トランジスタ14、15のバックバイアス電圧VBBとして接地電圧VSS=0Vを供給し、ドライバ・トランジスタ14、15のスレッショルド電圧を、例えば、0.4Vとし、スタンバイ状態時には、ドライバ・トランジスタ14、15のバックバイアス電圧VBBとして負電圧VAA=-2Vを供給し、ドライバ・トランジスタ14、15のスレッショルド電圧を、例えば、0.9Vとする。

請求項（抜粋）：

アクセス時には、メモリセルを構成するnMISトランジスタからなるドライバ・トランジスタのうち、少なくとも、選択されたメモリセルを構成するnMISトランジスタからなるドライバ・トランジスタのスレッショルド電圧が第1の電圧となるように制御し、スタンバイ時には、前記メモリセルを構成するnMISトランジスタからなるドライバ・トランジスタのスレッショルド電圧が前記第1の電圧よりも高い第2の電圧となるように制御するスレッショルド電圧制御手段を設けて構成されていることを特徴とするスタティックRAM。

IPC (3件)：

G11C 11/413 , H01L 21/8244 , H01L 27/11

FI (2件)：

G11C 11/34 335 C , H01L 27/10 381

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭61-024090
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-241718 出願人：株式会社日立製作所

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