特許

J-GLOBAL ID：200903094332717596

半導体基板のエッチング方法及び半導体薄膜の製造方法

発明者： 黒田 尚孝
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-068280
公開番号（公開出願番号）：特開平9-255499
出願日： 1996年03月25日
公開日（公表日）： 1997年09月30日
要約：

【要約】【課題】 ZnSeのような2-6族化合物半導体基板の酸化膜除去をその表面を高品質に保ったまま行い、2-6族半導体成長層と半導体基板との界面における積層欠陥の発生を抑制する。【解決手段】 2-6族化合物半導体基板の構成要素である2族原料(Zn)又は6族原料(Se)、あるいはその両方を基板に照射しながら同時にハロゲンガス(Cl2 など)、ハロゲン水素(HClなど)、又は基板の構成要素である2族元素のハロゲン化物(ZnCl2 など)を照射して、基板表面をエッチングする。そして、このようにしてエッチングされた基板上に2-6族半導体成長層をエピタキシャル成長する。

請求項（抜粋）：

真空チャンバ又は気相成長炉を用いて2-6族化合物半導体基板に該基板の構成要素である2族原料及び6族原料を照射しつつ、ハロゲンガス、ハロゲン化水素、又は前記基板の構成要素である2族元素のハロゲン化物を照射して、成長速度よりもエッチング速度が大きくなるように各原料の供給量を調節して前記基板のエッチングを行うようにしたことを特徴とする半導体基板のエッチング方法。

IPC (6件)：

C30B 33/12 ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/48 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/365 ,  H01L 33/00

FI (6件)：

C30B 33/12 ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/48 ,  H01L 21/365 ,  H01L 33/00 D ,  H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-037691