特許

J-GLOBAL ID：200903094333917084

校正用基板、熱処理装置および熱処理方法

発明者： 西原 英夫
出願人/特許権者： 大日本スクリーン製造株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-296757
公開番号（公開出願番号）：特開2002-107228
出願日： 2000年09月28日
公開日（公表日）： 2002年04月10日
要約：

【要約】【課題】 放射温度計を用いての基板温度測定に必要な所定のパラメータを正確に校正することができる校正用基板を提供する。【解決手段】 校正用基板SWは、シリコンのベース2上に多層膜MLを形成している。多層膜MLは、相対的に大きな屈折率を有するジルコニア膜とそれよりも小さな屈折率を有するシリカ膜を交互に積層して形成されている。また、多層膜MLにおける最上層膜TMLおよび最下層膜BMLはいずれも2種類の誘電体膜のうち屈折率の大きい方の誘電体膜(ジルコニア膜)とされている。さらに、多層膜MLにおける全て誘電体膜の光学的膜厚を同一にしている。このような校正用基板SWを使用すれば、放射温度計の測定素子の測定波長域における校正用基板SWの反射率が安定したほぼ一定の定数となるため、基板温度測定に必要な所定のパラメータを正確に校正することができる。

請求項（抜粋）：

放射温度計を用いて基板の温度を測定するときに、当該測定に必要な所定のパラメータを校正するための校正用基板であって、前記校正用基板上に、所定の屈折率を有する第1誘電体膜と前記第1誘電体膜よりも小さな屈折率を有する第2誘電体膜とを交互に積層した多層膜を形成し、前記多層膜における最上層膜および最下層膜を前記第1誘電体膜とし、前記第1誘電体膜の光学的膜厚と前記第2誘電体膜の光学的膜厚とを同一にするとともに、前記第1誘電体膜および前記第2誘電体膜の膜数の総数を奇数とすることを特徴とする校正用基板。

IPC (5件)：

G01J 5/02 ,  G01J 5/00 ,  G01J 5/08 ,  G01J 5/10 ,  H01L 21/26

FI (7件)：

G01J 5/02 K ,  G01J 5/02 D ,  G01J 5/00 D ,  G01J 5/00 B ,  G01J 5/08 C ,  G01J 5/10 A ,  H01L 21/26 T

Fターム (7件)：

2G066AB02 ,  2G066AB08 ,  2G066AC11 ,  2G066AC16 ,  2G066BB02 ,  2G066BC12 ,  2G066CA20