特許

J-GLOBAL ID：200903094336996970

プラズマによる気相からの層析出方法

発明者： ハインツ シユタインハルト ,  コンラート ヒーバー ,  ツフオニミール ガブリーク ,  ライナー ブラウン ,  ヘルムート トライヒエル ,  オスワルト シユピンドラー ,  アレクサンダー ゲシユワントナー
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-285333
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217922
出願日： 1992年09月29日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 集積半導体回路の製造の際に外部のマイクロ波励起により気相から層をプラズマにより析出するための方法(PECVD)を、層の安定性を高めるように改良する。【構成】 析出反応から空間的に隔てられて、活性化された中性粒子への反応ガスの分解が入結合されたマイクロ波エネルギーにより励起され、また活性化された粒子が続いて反応器に導かれ、そのなかで、励起されない反応ガスの追加的導入のもとに、また小さい電力の高周波(RF)エネルギーの入結合のもとにプラズマによる析出反応が行われる。

請求項（抜粋）：

集積半導体回路の製造の際に外部のマイクロ波励起により気相から層をプラズマにより析出するための方法において、析出反応から空間的に隔てられて、活性化された中性粒子への反応ガスの分解が入結合されたマイクロ波エネルギーにより励起され、また活性化された粒子が続いて反応器に導かれ、そのなかで、励起されない反応ガスの追加的導入のもとに、また小さい電力の高周波(RF)エネルギーの入結合のもとにプラズマによる析出反応が行われることを特徴とするプラズマによる気相からの層析出方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/3205

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特公昭63-047141
  
• 特開平3-162591