特許
J-GLOBAL ID：200903094345042571

局所接続・導電ラインを形成する方法及びその構造体

発明者：
マンニング, エイチ., モントゴメリー

マンニング, エイチ., モントゴメリー について


出願人/特許権者：
マイクロン テクノロジー, インク.

マイクロン テクノロジー, インク. について


代理人 (1件)： 石原 昌典 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-604460
公開番号（公開出願番号）：特表2003-533866
出願日： 2000年03月10日
公開日（公表日）： 2003年11月11日
要約：
【要約】集積回路を製造する方法は、半導体基板の上に対向する側壁(27,28;29,30;31,32)を有する導電ライン(22,24,26)を形成する過程を有する。絶縁層(34)が次に堆積される。絶縁層(34)は、ライン(22,24,26)の少なくとも一つの側壁の少なくとも一部分に沿ってエッチングされる。次に、絶縁スペーサ形成層(46)が基板及びライン上に堆積される。それは、絶縁側壁スペーサ(47-50,52)を形成するために異方性エッチングが行われる。局所接続を形成する方法は、半導体基板上に少なくとも二つのトランジスタゲートを有する。局所接続層(56)がトランジスタゲートの少なくとも一つの上に横たわり、且つ一方のゲートの少なくとも一つのソース/ドレインを他のトランジスタゲートの近傍の半導体基板に接続するように堆積される。一態様として、導電性増強不純物が局所接続層内に少なくとも二つの注入ステップにより注入される。一方の注入により、他方の注入よりも深く層内にピーク注入位置が提供される。導電性増強不純物が、局所接続層からその下の半導体基板材料内に拡散される。一態様として、導電性増強不純物は、局所接続層を通して、その下の半導体基板材料内に注入される。フィールド絶縁材料領域及び活性エリア領域が、半導体基板上に形成される。トレンチが、フィールド絶縁材料内に所望のライン形状となるようにエッチングされる。導電性材料は、トレンチを少なくとも一部分充填し、その中に導電ラインを形成するように堆積される。集積回路が、開示され且つ特許請求されている。
請求項（抜粋）：
集積回路を製造する方法であって、該方法は、 半導体基板上に対向する側壁を有した導電ラインを形成する過程と、 前記基板及びライン上に絶縁層を堆積する過程と、 前記ラインの少なくとも一方の側壁の少なくとも一部分に沿った前記ライン近傍の前記絶縁層をエッチングする過程と、 前記エッチングの後、前記基板及びライン上に絶縁スペーサ形成層を堆積し、そして、前記少なくとも一方の側壁の前記一部分に沿って、絶縁側壁スペーサを形成するために、前記絶縁スペーサ形成層を異方性エッチングする過程と、 からなることを特徴とする集積回路製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088
FI (3件)：
H01L 21/90 C ,  H01L 21/265 P ,  H01L 27/08 102 D
Fターム (36件)：
5F033HH04 ,  5F033HH25 ,  5F033JJ05 ,  5F033KK01 ,  5F033LL04 ,  5F033MM01 ,  5F033MM07 ,  5F033NN40 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ24 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ80 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS04 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033XX01 ,  5F048AA01 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BF03 ,  5F048BF16 ,  5F048BG12 ,  5F048BG14 ,  5F048DA23
引用特許：
審査官引用 (11件)
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