特許

J-GLOBAL ID：200903094353265598

炭化けい素たて型バイポーラトランジスタおよびその製造方法

発明者： 上野 勝典
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-210323
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078431
出願日： 1994年09月05日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】炭化けい素たて型バイポーラトランジスタの可制御電流の増大およびスイッチング時の安全動作領域の拡大を図る。【構成】nコレクタ層、pベース層、nエミッタ層が順に積層された炭化けい素バイポーラトランジスタにおいて、nエミッタ層の表面からpベース層に達するトレンチを形成し、そのトレンチの底部にベース電極を設け、ベース電極の上に絶縁膜を介してエミッタ電極を設ける。エミッタ電極とベース電極間の分離距離を横方向でなく、たて方向に取ることにより、基板の面積を有効に活用できる。また、エミッタ層の幅を狭くできるので、ベース電極から遠い無効な領域が減らせ、かつ、ベース電極からのコレクタ電流の引出しが速く進むのでキャリアの残留によるターンオフ失敗がなく、安全動作領域の広いバイポーラトランジスタができる。

請求項（抜粋）：

炭化けい素からなる第一導電型コレクタ層上の第二導電型ベース層と、そのベース層上の第一導電型エミッタ層と、そのベース層の表面に設けられたベース電極と、エミッタ層の表面に設けられたエミッタ電極と、第一導電型コレクタ層の裏面に設けられたコレクタ電極とを有するものにおいて、ベース電極が前記エミッタ領域の表面からトレンチ状に掘り下げられたベース層の表面上に形成されていることを特徴とする炭化けい素たて型バイポーラトランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73