半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-274458
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111885
出願日： 1997年10月07日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】半導体チップの実装に際して活性領域上にα線発生源となる多数のハンダ・バンプや封止樹脂を配する場合、該活性領域へ入射し得るα線量を半導体チップの実装高さを増大させずに低減させる。【解決手段】数十μmの膜厚を要した従来の厚膜樹脂コーティングに代わり、薄い金属膜をα線遮蔽膜として用いる。Cu膜は、厚さ5μmでα線遮蔽率0.1以下を達成できる。BGAでは、ハンダ・バンプの下地膜パターンにCu膜が通常含まれているので、このCu膜の膜厚を5μm程度とし、かつ活性領域を十分にカバーするごとく形成する。活性領域の直上にハンダ・バンプが配置されない場合には、ハンダ・バンプに接続される下地膜パターンの形成時に、ハンダ・バンプに接続されないパターンをα線遮蔽膜として活性領域上に同時に形成する。

請求項（抜粋）：

半導体チップの電極パッド形成面上において、活性領域の少なくとも一部がα線遮蔽用の金属膜で被覆されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 , H01L 21/3205 , H01L 21/60

FI (4件)：

H01L 23/12 K , H01L 21/88 S , H01L 21/92 602 Z , H01L 21/92 604 C

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