特許

J-GLOBAL ID：200903094358805426

単結晶薄膜形成方法および単結晶薄膜形成装置

発明者： 進藤 昌弘 ,  吉水 敏和 ,  浅川 俊文 ,  植山 須美義
出願人/特許権者： 株式会社メガチップス ,  株式会社ニューラルシステムズ
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-341281
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161649
出願日： 1993年12月10日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】 結晶方位の異なる単結晶薄膜を基板上の任意の部位に形成する。【構成】 SiO2 基板502の上には、(100)面が上方に向いた単結晶Si層が、多方向からの原子ビーム照射によって形成されている。この単結晶Si層の所定の領域にはCMOS528が形成され、このCMOS528の上には、SiO2 の絶縁膜526が選択的に形成されている。このSiO2 の絶縁膜526を遮蔽体として、多方向からの原子ビームを単結晶Si層に選択的に照射する。このとき、試料の温度はSiの結晶化温度よりも幾分低い550 ゚Cに設定されている。また、原子ビームの方向は、(111)面が上方に向いた単結晶Siの複数の(111)面に垂直な方向に設定される。その結果、選択照射を受けた単結晶Si層の結晶方位が、(111)面が上方に向くような結晶方位に転換される。【効果】 結晶方位の異なる単結晶薄膜を基板上の任意の部位に形成し得る。

請求項（抜粋）：

所定の物質の単結晶薄膜を形成する方法であって、(a) 基板上に非晶質または多結晶質の前記所定の物質の薄膜を形成する工程と、(b) 当該薄膜上にマスク材を形成する工程と、(c) 当該マスク材を選択的に除去する工程と、(d) 前記所定の物質の結晶化温度以下の高温下で、形成すべき前記単結晶薄膜における方向の相異なる複数の最稠密結晶面に垂直な方向から、前記所定の物質のスパッタリングを引き起こさない低エネルギーの気体のビームを、選択的に除去された前記マスク材を遮蔽体として前記基板上へ照射する工程と、を備える単結晶薄膜形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/04 ,  C30B 29/06 504 ,  H01L 21/203