特許

J-GLOBAL ID：200903094359707975

BICMOS集積回路内に不均質なエミッタを有するバイポーラトランジスタ

発明者： イヴォン グリ
出願人/特許権者： エスジェエス-トムソン ミクロエレクトロニクス ソシエテ アノニム
代理人 (1件)： 山本 恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-333759
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163224
出願日： 1997年11月19日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】 NPN型のバイポーラトランジスタの特性が最適化されるような製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明は、窒化ケイ素層上にポリシリコン・スペーサを有するトランジスタのベースエミッタ位置を画定するステップと、窒化ケイ素をスペーサの下でオーバエッチングするステップと、オーバエッチングされた層を高度にドープされたN型ポリシリコン層で充填するステップと、N型ドープ・ポリシリコン層を付着するステップと、第3および第4の層中に含まれるドーピングを拡散させて、バイポーラトランジスタのエミッタを形成するステップとを含む、NPN型のバイポーラトランジスタを含む集積回路を製造する方法に関する。

請求項（抜粋）：

P型基板(1)上にN型エピタキシャル層(2)を形成し、埋込み層(3)を少なくともバイポーラトランジスタの位置に設備するステップと、バイポーラトランジスタのベースエミッタ位置において開口した厚い酸化物層を形成するステップと、第1のP型ドープ・ポリシリコン層またはアモルファス・シリコン層(23)および第2のカプセル化酸化物層(24)を形成するステップと、これら最後の2つの層(23、24)をバイポーラトランジスタのベースエミッタ領域の中心において開口するステップと、第1のシリコン層(23)中に含まれるドーピングを下地のエピタキシャル層中に拡散させて、バイポーラトランジスタの外因性ベースを形成するステップであって、そのステップ中に薄い酸化物層(31)が露出したシリコン表面上に形成されるステップと、第1の窒化ケイ素の層(42)を付着し、第2のポリシリコンの層(43)を付着し、第2のポリシリコンの層を異方性エッチングして、その垂直位置においてスペーサを適所に残すステップと、露出した窒化ケイ素を抑圧し、それをスペーサの下でオーバエッチングするステップと、露出した窒化ケイ素がオーバエッチングされた位置において薄い酸化物層(31)を抑圧するステップと、N型コレクタ・ドーピング(30)を注入するステップと、P型ドーピング(33)を注入して、バイポーラトランジスタの内因性ベースを形成するステップと、高度にドープされた第3のN型ポリシリコン層(105)を、スペーサの下のオーバエッチングされた領域内に浸透するように付着し、それを異方性エッチングして、それをこのオーバエッチングされた領域内の適所に残すステップと、第4のN型ドープ・ポリシリコン層(46)を付着し、第3および第4の層中に含まれるドーピングを拡散させて、バイポーラトランジスタのエミッタ(107、108)を形成するステップとを含むNPN型のバイポーラトランジスタを含む集積回路の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/8249 ,  H01L 27/06

FI (2件)：

H01L 29/72 ,  H01L 27/06 321 B