特許

J-GLOBAL ID：200903094360908216

単結晶の製造方法

発明者： 佐藤 淳
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 前田 均 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-026766
公開番号（公開出願番号）：特開2003-226599
出願日： 2002年02月04日
公開日（公表日）： 2003年08月12日
要約：

【要約】【課題】 圧電材料として十分な品質を有する、組成式Ba3 TaGa3Si2 O14で示される単結晶の製造方法を提供すること。【解決手段】 組成式Ba3 TaGa3 Si2 O14で示される単結晶を製造する方法であって、[001]軸から74度以上90度以下の角度で傾いた結晶方位に結晶の育成を行い、単結晶を成長させることを特徴とする単結晶の製造方法。

請求項（抜粋）：

組成式Ba3 TaGa3 Si2 O14で示される単結晶を製造する方法であって、[001]軸から74度以上90度以下の角度で傾いた結晶方位に結晶の育成を行い、単結晶を成長させることを特徴とする単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/34 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24

FI (3件)：

C30B 29/34 Z ,  H01L 41/22 A ,  H01L 41/18 101 A

Fターム (6件)：

4G077AA02 ,  4G077BD14 ,  4G077CF10 ,  4G077ED02 ,  4G077HA11 ,  4G077PJ02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 圧電体材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-334154   出願人：ティーディーケイ株式会社
• ランガサイト単結晶ウェーハ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-115056   出願人：信越化学工業株式会社

審査官引用 (2件)

• 圧電体材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-334154   出願人：ティーディーケイ株式会社
• ランガサイト単結晶ウェーハ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-115056   出願人：信越化学工業株式会社