特許
J-GLOBAL ID:200903094368012483

光磁気記録媒体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-250683
公開番号(公開出願番号):特開平5-089536
出願日: 1991年09月30日
公開日(公表日): 1993年04月09日
要約:
【要約】【目的】初期化磁石を必要とせずに、簡単な媒体構造で、光磁気記録媒体の高密度化を行なうことができる光磁気記録媒体を提供することを目的とする。【構成】再生層と記録層とを積層した光磁気媒体に記録ビームを照射して記録層中に磁区を形成し記録後の冷却過程もしくは再生層初期化後の再生ビーム照射時に記録磁区を再生層に縮小転写して再生を行なう。この場合に、再生層は(a)温度が上昇するにしたがって反強磁性から強磁性に相転移する材料、(b)磁気異方性が基板面に対して面内方向から垂直方向に変化するスピン再配列材料、(c)温度が上昇するにしたがって強磁性から反強磁性に相転移する材料、及び(d)磁気異方性が基板面に対して垂直方向から面内方向に変化するスピン再配列材料のうちいずれか1種で形成されており、その相転移温度又は再配列温度が、記録層のキュリー点よりも低く再生時に記録媒体が達する温度よりも高い。
請求項(抜粋):
光磁気情報が記録される記録層と、記録層の光磁気情報を再生するための再生層とを有し、記録パワ-レベルの光ビ-ムを照射して記録層中に記録磁区を形成し、再生パワ-レベルの光ビ-ムを照射して前記記録磁区よりも小さい磁区を再生層中に転写するか、又は記録パワ-レベルの光ビ-ムを照射して記録層及び再生層中に記録磁区を形成し、再生パワ-レベルの光ビ-ムを照射して再生層中の記録磁区の一部を消去する光磁気記録媒体であって、前記再生層が、(a)温度が上昇するにしたがって反強磁性から強磁性に相転移する材料、(b)磁気異方性が基板面に対して面内方向から垂直方向に変化するスピン再配列材料、(c)温度が上昇するにしたがって強磁性から反強磁性に相転移する材料、及び(d)磁気異方性が基板面に対して垂直方向から面内方向に変化するスピン再配列材料のうちいずれか1種で形成されており、その相転移温度又は再配列温度が、記録層のキュリー点よりも低く再生時に記録媒体が達する温度よりも高いことを特徴とする光磁気記録媒体。

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