特許

J-GLOBAL ID：200903094368854352

半導体レーザ素子とその製造方法

発明者： 岩瀬 正幸
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-057366
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226774
出願日： 1992年02月10日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】 しきい値電流が小さく、かつ、そのばらつきが小さい埋め込み型半導体レーザ素子を提供する。【構成】 p型3-5族化合物半導体基板1上に、活性層5を含むメサストライプ形状のダブルヘテロ構造が積層され、前記ダブルヘテロ構造の側面はpnp埋め込みブロッキング層2、9、10で埋め込まれている半導体レーザ素子において、ダブルヘテロ構造には、基板1と活性層5の間に活性層5よりも短い波長組成の混晶層3を設け、該混晶層3のメサストライプ側面の面方位は(111)とし、埋め込みブロッキング層のn型層9は活性層5を含むメサ側面に接触させない。

請求項（抜粋）：

p型3-5族化合物半導体基板上に、活性層を含むメサストライプ形状のダブルヘテロ構造が積層され、前記ダブルヘテロ構造の側面はpnp埋め込みブロッキング層で埋め込まれている半導体レーザ素子において、ダブルヘテロ構造には、基板と活性層の間に活性層よりも短い波長組成の混晶層を設け、該混晶層のメサストライプ側面の面方位は(111)であり、埋め込みブロッキング層のn型層は活性層を含むメサ側面に接触していないことを特徴とする半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-122202
  
• 特開平3-048490
  
• 特開平3-211907
  
• 特開平3-038895