特許

J-GLOBAL ID：200903094373688703

薄膜ガスセンサ

発明者： 小野寺 克己 ,  河田 泰之 ,  井上 文宏 ,  津田 孝一
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 森田 雄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-006402
公開番号（公開出願番号）：特開平11-201929
出願日： 1998年01月16日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】 従来の薄膜ガスセンサは、感知部が小さいために従来の焼結型に比べてSN比が劣ることから、周囲温度の変化による感度の低下が顕著であり、問題点となっていた。【解決手段】 本発明の薄膜ガスセンサは、基板1と、前記基板上に支持膜2を介して形成されたヒータ層3と、前記ヒータ層上に電気絶縁層4を介して形成された温度センサ層5と、前記温度センサ層上に電気絶縁層7を介して間隔を持って一対に形成された電極8と、前記電極間上に積層され、被検ガスに反応して電気抵抗値を変化させるSnO2から成る感知膜9を備える。

請求項（抜粋）：

被検ガスの有無を検出する薄膜ガスセンサにおいて、基板と、前記基板上に支持膜を介して形成されたヒータ層と、前記ヒータ層上に電気絶縁層を介して形成された温度センサ層と、前記温度センサ層上に電気絶縁層を介して、間隔を持って一対に形成された電極と、前記電極間上に積層され、被検ガスに反応して電気抵抗値を変化させるSnO2から成る感知膜を備えることを特徴とする薄膜ガスセンサ。