特許
J-GLOBAL ID：200903094385368747
パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-242766
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055123
出願日： 1991年08月27日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】 試料上に形成されるパターンの寸法精度を向上させる。【構成】 描画フィールド面内の荷電ビームの偏向収差量の分布を測定し、上記測定された荷電ビームの偏向収差量の分布から描画フィールド内の寸法ばらつきを補正するための補正テーブルを作成し、上記補正テーブルを用いて荷電ビーム露光でパターン形成を行う。【効果】 上記補正テーブルを用いて荷電ビーム露光を行うことにより、描画フィールド内の寸法ばらつきが低減され、その結果、試料内に形成されるパターンの寸法精度を向上させる効果を奏する。
請求項（抜粋）：
荷電ビーム露光を用いたパターン形成方法において、描画フィールド内の荷電ビームの偏向収差量の分布を測定し、上記測定された荷電ビームの偏向収差量の分布から描画フィールド内の寸法ばらつきを補正するための補正テーブルを作成し、上記補正テーブルを用いて荷電ビーム露光を行うことを特徴とするパターン形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/30 341 M
, H01L 21/30 341 Q
