特許
J-GLOBAL ID：200903094387008241
半導体レーザ素子の実装方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-200035
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053611
出願日： 1992年07月27日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】 工程が簡略で歩留りの向上を図ることができ、かつ実使用時の温度変化に対する信頼性も良好である、半導体レーザ素子の実装方法を提供する。【構成】 ステム支持体の上に、あらかじめプリフォーム材薄膜が両面に形成されたサブマウントと、半導体レーザ素子とをこの順に載置した後、プリフォーム材薄膜に熱を加えることにより半導体レーザ素子をマウントする。
請求項（抜粋）：
半導体レーザ素子をマウントするためのステム支持体の上に、あらかじめプリフォーム材薄膜が両面に形成されたサブマウントと、半導体レーザ素子とをこの順に載置する工程と、載置された該サブマウントに形成されたプリフォーム材薄膜に熱を加える工程と、を含む半導体レーザ素子の実装方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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