特許

J-GLOBAL ID：200903094390704011

電子放出素子

発明者： 中村 裕之 ,  中本 正幸
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-195754
公開番号（公開出願番号）：特開平7-057619
出願日： 1993年08月06日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 良好な結晶性を有する絶縁体層および電子放出電極層を具備し、高い電子放出効率および大放出電流密度を得ることが可能な電子放出素子の提供。【構成】 IV族半導体およびIII-V族化合物半導体から選ばれた素材から成る支持基板8と、前記支持基板8の少くとも電子放出領域面に一体的に配置されたアルカリ土類フッ化物絶縁層11と、前記アルカリ土類フッ化物絶縁層11上に一体的に配置され、電子放出領域を形成する IV族半導体およびIII-V族化合物半導体から選ばれた素材から成る電子放出電極層12とを具備して成ることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

IV族半導体およびIII-V族化合物半導体から選ばれた素材から成る支持基板と、前記支持基板の少くとも電子放出領域面に一体的に配置されたアルカリ土類フッ化物絶縁層と、前記アルカリ土類フッ化物絶縁層上に一体的に配置され、電子放出領域を形成する IV族半導体およびIII-V族化合物半導体から選ばれた素材から成る電子放出電極とを具備して成ることを特徴とする電子放出素子。