特許

J-GLOBAL ID：200903094394236241

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 村上 隆志
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-213484
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054451
出願日： 1997年08月07日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】 プラズマドーピング法でB2H6ガスを用いると多量の水素が同時にドーピングされホットキャリア耐性を劣化させてしまうこと、またBF3ガスを用いるとフッ素ラジカルによる基板表面のエッチングが同時進行し、ドーピングの制御性や効率が悪いことを防止するプラズマドーピング法を用いた半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する【解決手段】 水素で希釈されたB2H6をメインガスとし、このメインガスに対してBF3 を混合した不純物イオンを照射することで半導体基板上に不純物イオンをドーピングするものである。BF3 をメインガスとし、このメインガスに対して水素で希釈されたB2H6を混合した不純物イオンを照射することで半導体基板上に不純物イオンをドーピングするものである。

請求項（抜粋）：

チャンバー内に半導体基板を配置する工程と、前記半導体基板の表面上から、不純物元素の水素化物を含む第1のガスと、前記不純物元素のフッ化物を含む第2のガスとを有する混合ガスによるプラズマイオンを照射する照射工程を含んだことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/265 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/265 F ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 301 F