特許
J-GLOBAL ID：200903094399687888
冷電子放出素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
藤巻 正憲
, 工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-217071
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063466
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】 エミッタ先端部の加工精度及び構造の均一化が優れていると共に、電流を安定して放出することができる冷電子放出素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 冷電子放出素子は、p型シリコン基板18上にn型半導体からなるエミッタ基部14b及び突起部14とソース領域17とが形成されており、このエミッタ突起部14及びソース領域17を含む基板18上に、絶縁層12aを介して引き出し電極及びゲート電極として作用する金属膜13aが形成されている。この冷電子放出素子は、以下のようにして製造できる。先ず、p型半導体基板18上にコーン型のエミッタ先端部14及び基部14bからなるエミッタ並びにソース領域17を形成する。次に、このエミッタ領域及びソース領域17の一部を含む基板18上に絶縁層12aと、引き出し電極及びゲート電極となる金属膜13aとを形成する。次いで、エミッタ及びソース領域17にn型不純物を導入してn型のエミッタ及びn型のソース領域17を形成する。
請求項（抜粋）：
p型半導体基板と、このp型半導体基板の表面に形成されたn型半導体からなる基部及びこの基部から突出する突起部を含み、この突起部には少なくとも1つの先鋭端が設けられているエミッタと、前記基板の表面に形成されたn型半導体からなるソース領域と、前記エミッタの基部及びソース領域の一部を含む前記基板上に選択的に形成された絶縁層と、この絶縁層上に形成されその電圧印加により前記エミッタの前記突起部から電子を放出させる引き出し電極と、を有することを特徴とする冷電子放出素子。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01J 1/30 C
, H01J 1/30 B
, H01J 9/02 B
, H01J 9/02 C
