化合物半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾身祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-260984
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082694
出願日： 1995年09月14日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【目的】 RIEの反応生成物に炭素が含まれないようにして、O2 プラズマ処理の時間を短縮して、活性層の酸化を抑制し閾値電圧のばらつきを抑える。【構成】 n型GaAs活性層2を有するGaAs基板1上にSiO2 膜3を形成し、その上に形成すべきゲート開口の形状の開口を有するフォトレジスト膜4を形成する。RIEによりSiO2 膜3の途中までエッチングする。このとき開口側面に反応生成物膜5aが形成される〔(a)図〕。O2 プラズマ処理によりフォトレジスト膜4、反応生成物膜5aを除去し、SF6 を反応ガスとするRIEによりゲート開口を形成する〔(b)図〕。短時間のO2 プラズマ処理により反応生成物膜5を除去し、HClによる処理を行う〔(c)図〕。ゲート電極6及びソース・ドレイン電極7を形成する〔(d)図〕。

請求項（抜粋）：

(1)表面に活性層を有する化合物半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、(2)ドライエッチングにより前記絶縁膜を選択的に除去して前記活性層の表面を露出させるゲート開口を開設する工程と、(3)短時間のO2 プラズマアッシング処理を行って、前工程で生成された反応生成物を除去する工程と、(4)前記ゲート開口を介して前記活性層と接触し該活性層とショットキー接合を形成するゲート電極を形成する工程と、を有する化合物半導体装置の製造方法において、前記第(2)の工程における少なくとも最終段階においては、カーボンフリー状態〔炭素(C)を含むエッチングレジストが用いられず、かつ、炭素を含む反応ガスが用いられない〕でエッチングが行われることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 21/302 F , H01L 21/302 H , H01L 29/80 B

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