半導体装置及びこれを用いたトランジスタ回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-175240
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021442
出願日： 1992年07月02日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】面積が小さくかつ特性のバラツキが小さく、超低消費電力集積回路にも適した新しい原理に基づくトランジスタを提供する。【構成】ソースからドレインへの電流を制御するバリア領域を有し、バリア領域の長さ、及び動作温度が所定の値に設定され、ソースドレイン間に電流が流れるオン状態から電流が流れないオフ状態へ切り換えるのに、バリア領域の中の平均電子数が一個程度あるいは一個以下しか変化しないように設計されていることを特徴とする半導体装置。【効果】一個以下の極めて少数の電子の増減によって動作するトランジスタが従来のMOSFETと同様の簡単な製造プロセスで実現することができる。面積も従来より小さくでき、高集積化に適する。

請求項（抜粋）：

キャリアを半導体に供給するソース電極と上記キャリアを上記半導体から吸収するドレイン電極と、上記ソース電極から上記ドレイン電極へと通じ、少なくともその一部が半導体からなる電流経路と、上記電流経路におけるキャリアの流れを制御するゲート電極と、上記ソース電極から上記ドレインへの上記電流経路の中に隣接する第1領域と第2領域と第3領域とを具備し、上記第1領域、上記第2領域、上記第3領域はそれぞれの領域内でほぼ同電位となるように設定され、上記第1領域と上記第2領域との間には第1遷移領域を有し、上記第2領域と上記第3領域との間には第2遷移領域を有し上記第1遷移領域においてキャリア間の相互作用を取り除いたポテンシャルが上記第1領域から上記第2領域に近づくにつれ単調に増加あるいは単調に減少し、上記第2領域の長さ及び動作温度が所定の値に設定され、ソース・ドレイン間に電流が流れるオン状態から電流が流れないオフ状態へ切り換えるのに、上記第2領域の中の平均電子数が一個程度あるいは一個以下しか変化しないことを特徴とする半導体装置。

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