特許

J-GLOBAL ID：200903094417247505

酸含有液による半導体材料処理方法

発明者： マキシミリアン・シュタットラー ,  ギュンター・シュヴァーブ ,  ペーター・ロメダー ,  ガブリエレ・トリフェルナー
出願人/特許権者： ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
代理人 (1件)： 萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-127490
公開番号（公開出願番号）：特開平8-053780
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】【目的】 半導体材料のエッチング工程中の化学反応中に生成する水によるエッチング速度の低下、エッチング液の交換頻度の上昇、ウエハ表面の滑らかさの低下等の欠点を解消する。【構成】 水が化学反応の生成物として生成し、酸含有液によって半導体材料を処理する方法において、半導体材料の処理の前および/または間に、五酸化リンを酸含有液に添加する。【効果】 エッチング液の半導体材料処理の間に含水率を20重量%以下に維持でき、エッチング液の使用期間が延長でき、処理設備の能力が高まり、助剤コストを減少でき、表面のなめらかなエッチング済みウエハが得られる。

請求項（抜粋）：

水が化学反応の生成物として生成し、酸含有液によって半導体材料を処理する方法であって、五酸化リンを酸含有液に添加することを特徴とする酸含有液による半導体材料処理方法。

IPC (3件)：

C23F 1/24 ,  C09K 13/04 101 ,  H01L 21/308