特許

J-GLOBAL ID：200903094418181010

インプランテーションによってドープされたシリコンカーバード半導体を熱的に回復させる方法

発明者： カールハインツ ヘルツライン ,  ローラント ルップ ,  アルノ ヴィーデンホーファー
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-514313
公開番号（公開出願番号）：特表2001-518706
出願日： 1998年09月14日
公開日（公表日）： 2001年10月16日
要約：

【要約】インプランテーションによってドーピングされるシリコンカーバイド半導体(10i)は、実際に炭素をシリコンカーバイド半導体(10i)にくっつけないガス流(12)において、熱的に回復される。有利な実施形態において、容器(13)、支持体(16)、放射シールド(14,15)および底部プレート(17)は少なくとも、ガス流(12)と接触する個所において、例えばタンタルまたはタンタルカーバイドのような金属化合物から成っている。

請求項（抜粋）：

インプランテーションによってドープされた少なくとも1つのシリコンカーバイド半導体をガス流中で熱的に回復させる方法において、該少なくとも1つのシリコンカーバイド半導体(10i)にガス流(12)を介して実際に炭素を供給しないことを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/265 602 ,  H01L 21/324

FI (2件)：

H01L 21/265 602 A ,  H01L 21/324 R