特許

J-GLOBAL ID：200903094424769517

半導体装置の製造方法

発明者： 窪田 通孝 ,  秋庭 波里
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-190124
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045614
出願日： 1993年07月30日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【構成】 下層配線材料であるAl-1%Si層1に対してイオン注入を行い、Al-1%Si層1の表層部をアモルファス化し、この上に、反射防止膜であるTiN膜2を、配向性のない、もしくは配向性の弱い膜として成膜させる。そして、前記TiN膜2とこの上に形成された層間絶縁膜3とを選択的にエッチングして接続孔を開口する。【効果】 反射防止膜の配向性を考慮する必要がなくなるので、エッチング条件を変化さる必要もなくなり、反射防止膜が容易に除去できる。したがって、信頼性の高い低抵抗コンタクトの形成が可能となる。

請求項（抜粋）：

イオン注入によって下層配線材料層の表層部をアモルファス化した後、上記下層配線材料層上に反射防止膜を成膜し、該反射防止膜とこの上に形成された絶縁膜とを選択的にエッチングして接続孔を開口することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/30 574 ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/90 B