特許

J-GLOBAL ID：200903094432788946

光検出素子

発明者： 野島 秀雄 ,  中西 健司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-052078
公開番号（公開出願番号）：特開平11-346010
出願日： 1999年03月01日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：

【要約】【課題】 超電導体薄膜と強磁性体薄膜を積層することにより、超高速、高感度の光検出素子を提供する。【解決手段】 光検出素子が、基板上に形成された強磁性体薄膜と高温超電導体薄膜とが、絶縁体薄膜を介して、各々の層が少なくとも1層以上、積層された光検出部と、該光検出部に接続配置された電極とを具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された強磁性体薄膜と高温超電導体薄膜とが、絶縁体薄膜を介して、各々の層が少なくとも1層以上、積層された光検出部と、該光検出部に接続配置された電極とを具備することを特徴とする光検出素子。

IPC (4件)：

H01L 39/22 ZAA ,  G01J 1/02 ,  H01F 10/08 ,  H01L 31/02

FI (4件)：

H01L 39/22 ZAA D ,  G01J 1/02 R ,  H01F 10/08 A ,  H01L 31/02 Z