特許

J-GLOBAL ID：200903094437858608

半導体装置及びその製造方法

発明者： 寺本 茂樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-001544
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200077
出願日： 1997年01月08日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】 製造プロセス中におけるダメージを回避することにより、歩留まり好く製造ができ、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に複数の半導体メモリ10が形成され、複数の半導体メモリ10の制御電極9が共通に接続され、この半導体メモリ10の共通に接続された制御電極9が、半導体基板1内に設けられた保護ダイオードPDに接続がなされた半導体装置30を構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に複数の半導体メモリが形成され、該複数の半導体メモリの制御電極が共通に接続された半導体装置において、上記半導体メモリの共通に接続された制御電極が、上記半導体基板内に設けられた保護ダイオードに接続がなされて成ることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371