特許

J-GLOBAL ID：200903094438428291

光励起CVD方法

発明者： 阿高 三郎 ,  芝田 健二 ,  湯浅 博司 ,  岩崎 淳
出願人/特許権者： バブコック日立株式会社
代理人 (1件)： 西元 勝一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-353337
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181200
出願日： 1992年12月11日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：

【要約】【目的】 成膜前の基板のクリーニング、高速成膜、優れた段差被覆性を可能とした光励起CVD方法を提供すること。【構成】 反応室2内にバブラー8により有機シリコンを供給し、基板1面に有機シリコンの吸着層を形成される。この吸着層は基板1の凹凸面に追従し、薄く、かつ、ほぼ均一な厚みを有する。次に反応室2内にオゾン発生機7で発生させたオゾンを供給する。このオゾンは低圧水銀ランプ3による紫外光照射によってO3 →Oとなり、ラジカル状の酸素を生成する。このラジカル状酸素が吸着層を形成する有機シリコンを酸化して、薄く、かつ、ほぼ均一な厚みの酸化シリコン膜を形成する。

請求項（抜粋）：

室内に供給されるオゾンの紫外光による光励起反応によって生じる酸素ラジカルを介して基板に介在する有機質を燃焼除去することを特徴とする光励起CVD方法。

IPC (5件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/48 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/302