特許

J-GLOBAL ID：200903094439563346

シリコン基板の熱処理方法

発明者： 津森 泰男
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-182612
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045948
出願日： 1994年08月03日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、シリコン基板表面のマイクロラフネスの増大を抑制するシリコン基板の熱処理方法を提供する。【構成】 シリコン基板を水素ガス、不活性ガスまたは水素ガスと不活性ガスの混合ガス雰囲気下で処理する熱処理方法において、雰囲気ガス中に含まれる酸素量および水分量の総和の2倍以上でかつ1ppma以下のSiH4 ガス、Si2 H6 ガス、またはSiH4 ガスとSi2 H6 ガスの混合ガスを添加した雰囲気ガス中で熱処理することを特徴とするシリコン基板の熱処理方法である。【効果】 本発明により、シリコン基板を水素ガス、不活性ガス、または水素ガスと不活性ガスの混合ガス雰囲気下で処理する熱処理方法において、該シリコン基板表面のマイクロラフネスの増大を抑制する熱処理が可能となる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板を水素ガス、不活性ガスまたは水素ガスと不活性ガスの混合ガス雰囲気下で処理する熱処理方法において、雰囲気ガス中に含まれる酸素量および水分量の総和の2倍以上でかつ1ppma以下のSiH4 ガスを添加した雰囲気ガス中で熱処理することを特徴とするシリコン基板の熱処理方法。