特許

J-GLOBAL ID：200903094440015689

シリコンウエーハの洗浄方法およびその装置

発明者： 小林 敏
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-264596
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109686
出願日： 1991年10月14日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】 ウェット洗浄を行わず、ウェーハ表面の有機物質や付着異物を除去できるシリコンウェーハの洗浄方法および装置を提供すること。【構成】 水蒸気と、オゾンガスおよびアンモニアガスを供給して洗浄することを特徴とするとするシリコンウェーハの洗浄方法および加熱装置5を備えた減圧室1に水蒸気供給源7と、オゾンガス8およびアンモニアガス供給源を接続したことを特徴とするシリコンウェーハの洗浄装置である。

請求項（抜粋）：

水蒸気と、オゾンガスおよびアンモニアガスを供給して洗浄することを特徴とするシリコンウェーハの洗浄方法。