半導体材料およびその作製方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-080799
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299339
出願日： 1991年03月18日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】本発明は、信頼性、電気的特性に優れた半導体材料、特に膜状に形成される半導体材料を提供することを目的とする。【構成】レーザーアニールによってアモルファス半導体を改質して作製された、酸素、窒素、炭素の濃度が、いずれも5×1019cm-3以下、望ましくは1×1019cm-3以下である半導体材料。

請求項（抜粋）：

炭素、窒素、および酸素の濃度がいずれも5×1019cm-3以下、好ましくは1×1019cm-3以下である非結晶性の珪素膜をレーザー光もしくはそれと同等な強光を照射して溶融する過程と、再結晶化する過程とを経たことによって得られたことを特徴とする半導体材料。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 21/336 , H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (21件)

特開平1-241862
特開昭60-245124
特開平2-271611

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