特許

J-GLOBAL ID：200903094440463185

GaN単結晶基板及びその製造方法

発明者： 元木 健作 ,  岡久 拓司 ,  松本 直樹
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1998004908
公開番号（公開出願番号）：WO1999-023693
出願日： 1998年10月29日
公開日（公表日）： 1999年05月14日
要約：

【要約】本発明に係るGaN単結晶基板の製造方法は、GaAs基板2上に互いに離隔配置された複数の開口窓10を有するマスク層8を形成するマスク層形成工程と、マスク層8上にGaNからなるエピタキシャル層12を成長させるエピタキシャル層成長工程とを備えることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に、互いに離隔配置された複数の開口窓を有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、 前記マスク層上に、GaNからなるエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル層成長工程と、 を備えることを特徴とするGaN単結晶基板の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  C30B 29/40 502 H ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 B ,  H01S 5/323