特許

J-GLOBAL ID：200903094443041648

二次元画像検出器

発明者： 和泉 良弘 ,  寺沼 修
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 原 謙三 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-016740
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234461
出願日： 1999年06月07日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：

【要約】【課題】 アクティブマトリクス基板と対向基板の間での電極の接続部における隣接画素間のクロストークを無くし高品質の画像を検出する。【解決手段】 光導電性を有する半導体層13と、前記半導体層13上に形成された複数の突起電極とを有する対向基板2と、複数の画素電極10と、前記複数の画素電極10にそれぞれ接続されたスイッチング素子とを有するアクティブマトリクス基板1とを備える。前記対向基板2とアクティブマトリクス基板1とは、前記複数の突起電極と前記複数の画素電極10とが対向するように配置され、前記複数の突起電極と前記複数の画素電極との間に異方導電性接着剤3が充填されている。

請求項（抜粋）：

光導電性を有する半導体層と、前記半導体層上に形成された複数の突起電極とを有する対向基板と、複数の画素電極と、前記複数の画素電極にそれぞれ接続されたスイッチング素子とを有するアクティブマトリクス基板とを備え、前記対向基板とアクティブマトリクス基板とは、前記複数の突起電極と前記複数の画素電極とが対向するように配置され、前記複数の突起電極と前記複数の画素電極との間に導電性材料が充填されていることを特徴とする二次元画像検出器。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H01L 27/14

FI (2件)：

H01L 27/14 C ,  H01L 27/14 K

Fターム (18件)：

4M118BA05 ,  4M118CA11 ,  4M118CA15 ,  4M118CB05 ,  4M118CB06 ,  4M118CB07 ,  4M118EA01 ,  4M118EA20 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB23 ,  4M118FB24 ,  4M118GA10 ,  4M118HA03 ,  4M118HA26 ,  4M118HA32

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ソリッド・ステート・デバイスを用いたX線イメージ捕獲エレメントおよび方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-316975   出願人：イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー

審査官引用 (1件)

• 二次元画像検出器の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-158881   出願人：シャープ株式会社