特許

J-GLOBAL ID：200903094448121860

金属膜のプラズマCVD方法、および金属窒化物膜の形成方法ならびに半導体装置

発明者： 宮本 孝章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-169027
公開番号（公開出願番号）：特開平10-237662
出願日： 1997年06月25日
公開日（公表日）： 1998年09月08日
要約：

【要約】【課題】 Ti等の金属膜のプラズマCVD方法や、TiN膜等の金属窒化物膜の形成方法において、接続孔開口部等における成膜形状の非対称性、下地の導電材料層等の腐食、残留ハロゲンや膜剥離等の問題を解決する。【解決手段】 TiCl4 、H2 およびArを含む混合ガスによるプラズマCVDにおいて、Ti成膜種を効率よくイオン化し、生成したTi+ イオンを被処理基板に向け、略垂直に入射して金属膜を形成する。このような方法によるカバレッジのよい金属膜の形成と、この金属膜のプラズマ窒化を交互に繰り返し、所望の厚さの金属窒化物膜を形成する。【効果】 垂直入射する金属イオンにより、接続孔の底部では厚く、側壁では薄く、対称性よく金属膜や金属窒化物膜が成膜される。

請求項（抜粋）：

金属ハロゲン化物ガス、水素ガスおよび希ガスを含む原料ガスを用い、被処理基板上に金属膜を形成するプラズマCVD方法において、前記金属ハロゲン化物を、プラズマ中の水素活性種により還元して金属中性種を生成する工程と、前記金属中性種と、プラズマ中の希ガス活性種および電子のうちの少なくとも一方とを衝突させ、金属イオンを生成する工程と、を有するとともに、前記金属ハロゲン化物と、プラズマ中の希ガス活性種および電子のうちの少なくとも一方とを衝突させ、金属イオンとハロゲン中性種を生成する工程と、前記ハロゲン中性種を、プラズマ中の水素活性種により還元反応してハロゲン化水素を生成する工程と、を有し、さらに生成した前記金属イオンを、前記被処理基板の主面に対し略垂直に入射させて、前記被処理基板上に金属膜を形成する工程を有することを特徴とする金属膜のプラズマCVD方法。

IPC (4件)：

C23C 16/50 ,  C23C 8/38 ,  C23C 16/08 ,  H01L 21/285

FI (4件)：

C23C 16/50 ,  C23C 8/38 ,  C23C 16/08 ,  H01L 21/285 C