特許

J-GLOBAL ID：200903094451509136

半導体装置及びその製造方法、フォトマスク

発明者： 茂筑 寛士
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 柳瀬 睦肇 ,  宇都宮 正明 ,  渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-059890
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273612
出願日： 2003年03月06日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】マーク配置領域の占有率増大を抑制し、一つの決まった形状を有してプロセス変動に対処可能な測定用のマークを有する半導体装置及びその製造方法、フォトマスクを提供する。【解決手段】外側のボックスマークは多重ボックスマークBMK1となっている。内側のボックスマークBMK2は、多重ボックスマークBMK1上を被覆する金属部材ML上において形成され、多重ボックスマークBMK1との位置合わせに関係する合わせ用マークであり、ここでは方形のレジストパターンである。多重ボックスマークBMK1は、半導体基板上方の絶縁膜IL上に複数の幅の異なる帯状の方形枠(F1〜F4)を四重に配しており、複数の幅の異なる溝TR1〜TR4内に金属部材PMを配して構成される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上における所定の露光パターンと前の工程で形成されたパターンとの位置合わせの精度が検査されるためのマークを備え、 前記マークは、前記半導体基板上の所定層に形成された複数の幅の異なる帯状の多重ボックスマークと、前記所定層より上層に形成された合わせ用マークを含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L21/027 ,  G03F1/08 ,  G03F9/00

FI (4件)：

H01L21/30 520C ,  G03F1/08 N ,  G03F9/00 H ,  H01L21/30 522Z

Fターム (13件)：

2H095BA01 ,  2H095BE03 ,  2H095BE08 ,  2H095BE09 ,  5F046EA03 ,  5F046EA04 ,  5F046EA13 ,  5F046EA18 ,  5F046EA19 ,  5F046EB01 ,  5F046EB05 ,  5F046EB07 ,  5F046FC03