特許

J-GLOBAL ID：200903094453868737

無粒界型マンガン酸化物系結晶体、その製造方法及びメモリースイッチング型磁気抵抗素子

発明者： 朝光 敦 ,  守友 浩 ,  十倉 好紀
出願人/特許権者： 工業技術院長 ,  技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構
代理人 (2件)： 阿形 明 (外1名) ,  阿形 明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-271567
公開番号（公開出願番号）：特開平8-133895
出願日： 1994年11月04日
公開日（公表日）： 1996年05月28日
要約：

【要約】【構成】 一般式La1-xSrxMnO3(式中のxは0.168〜0.178の範囲内の数である)で表わされる組成のペロブスカイト型構造をもつ無粒界型マンガン酸化物系結晶体である。このものは、La、Sr及びMnの酸化物、炭酸塩等の粉末の混合物を焼結したのち、フローティングゾーン法により結晶成長させることにより製造することができる。【効果】 60〜350 ゚Kの温度において磁場による結晶構造の相転移を生じるので、この相転移によるヒステリシスを利用したメモリースイッチング型磁気抵抗素子とすることができる。

請求項（抜粋）：

一般式La1-xSrxMnO3(式中のxは0.168〜0.178の範囲内の数である)で表わされる組成のペロブスカイト型構造をもつ無粒界型マンガン酸化物系結晶体。

IPC (6件)：

C30B 29/22 ,  C30B 13/00 ,  H01F 1/34 ,  H01H 36/00 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10