窒化物系化合物半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-341825
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160656
出願日： 1999年12月01日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：

【要約】【課題】キャリア散乱を抑えて電気的特性を改善することができる窒化物系化合物半導体装置を提供する。【解決手段】ウルツ鉱構造の結晶をもつGaNを基板材料1に選び、そのa面(1,1,-2,0)を基板表面1aとしてこの表面上に窒化物系半導体層2,3,4,5を積層し、電流経路であるソース-ドレインの方向を積層される窒化物半導体層を構成する結晶のc軸方向と平行にする。

請求項（抜粋）：

窒化物系化合物半導体を用いた窒化物系化合物半導体装置であって、ウルツ鉱構造の結晶をもつ材料の(1,1,-2,0)面(a面)または(1,-1,0,0)面(m面)を基板として用い、かつ電流を流す方向がc軸方向と平行になっていることを特徴とする窒化物系化合物半導体装置。

IPC (4件)：

H01S 5/323 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 5/323 , H01L 33/00 C , H01L 29/80 B

Fターム (20件)：

5F041AA21 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA41 , 5F073CB02 , 5F073CB04 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ04 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GN04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01

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