特許
J-GLOBAL ID：200903094465113383
抵抗装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大菅 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-012190
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224489
出願日： 1993年01月28日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【目的】 本発明では、抵抗薄膜の形成範囲を設定するためのエッチング技術を一切用いずに、良好なパターニング精度を有する抵抗薄膜を得ることが可能な抵抗装置およびその製造方法を提供する。【構成】 シリコン基板1の上部に所定の値以上の膜厚を有するシリコン酸化膜2を設けるとともに、このシリコン酸化膜2の一部にその膜厚の値未満の深さを有する溝状の磁気抵抗素子パターン3を設け、かつ、この磁気抵抗素子パターン3の底面にその深さに比べて十分に小さな値に相当する膜厚を有する強磁性体薄膜4を設ける。なお、シリコン酸化膜2の形成はシリコン基板1の上面を熱酸化することで行い、磁気抵抗素子パターン3の形成はシリコン酸化膜2を上方から垂直に除去することで行い、強磁性体薄膜4の形成はシリコン酸化膜2の全面に上方から強磁性体材料を堆積させることで行う。
請求項（抜粋）：
半導体基板の上部に所定の値以上の膜厚を有する絶縁膜を設けるとともに、この絶縁膜の一部にその膜厚の値未満の深さを有する溝状の抵抗素子パターンを設け、かつ、この抵抗素子パターンの底面にその深さに比べて十分に小さな値に相当する膜厚を有する抵抗薄膜を設けて成ることを特徴とする抵抗装置。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, H01C 7/00
, H01C 17/00
