特許

J-GLOBAL ID：200903094466761540

半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 中村 隆文
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-102603
公開番号（公開出願番号）：特開2003-298111
出願日： 2002年04月04日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【課題】 ボンディングワイヤをボンディングする際の圧力で光半導体チップが破壊してしまう虞が少なく、ボンディングパッドの剥がれや高温高湿下の使用でも不点灯となる虞が少なく、歩留の向上と良好な信頼性が得られる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 n-GaAs基板21上に、n型のバッファ層、クラッド層、さらにアクティブ層、p型のクラッド層、第1コンタクト層、最上層にp-GaAs第2コンタクト層29を順次積層してなる光半導体チップ22と、p-GaAs第2コンタクト層29上面の中央部分に形成されたAu系金属材料膜でなる略錐台形状のボンディングパッド30と、このボンディングパッド30の斜面状側面部32と、p-GaAs第2コンタクト層29上面部31を覆うように設けたITO電極34を有する透明電極部35とを備えるよう構成する。

請求項（抜粋）：

積層構造をなす光半導体チップの積層方向上面に、透明電極とボンディングパッドを設けてなる半導体発光素子において、前記光半導体チップ最上層の所定導電型半導体層の一部に、該半導体層に対する非オーミック材料で形成した前記ボンディングパッドを設けると共に、前記ボンディングパッドの一部と前記半導体層の残部を覆うように前記透明電極部を設けたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/40

FI (4件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 B ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/40

Fターム (27件)：

4M104AA05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB10 ,  4M104BB12 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD34 ,  4M104DD35 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104FF02 ,  4M104FF08 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH08 ,  4M104HH20 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98